据悉，该项目是继士兰集科12英寸特色工艺芯片生产线和士兰明镓先进化合物半导体器件生产线后，士兰微落地厦门的第三个重大项目，总投资120亿元，总建筑面积23.45万平方米，分两期建设。其中，一期项目总投资70亿元，达产后年产42万片8英寸碳化硅功率器件芯片。两期全部建成投产后，将形成年产72万片8英寸碳化硅功率器件芯片的生产能力。

　　目前碳化硅芯片目前已被广泛应用在新能源汽车、光储充、轨道交通以及智能电网等领域，其中，新能源汽车是当前碳化硅芯片最大规模的应用市场。士兰集宏8英寸碳化硅芯片项目建成后，一方面有助于提升士兰微碳化硅芯片制造能力，另一方面可以满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有望向更多应用领域提供碳化硅芯片产品。

　　据相关环保网披露文件显示，在更早的2024年11月25日，士兰明镓二期项目碳化硅（SiC）功率器件生产线建设项目已验收。该项目依托现有厂房，新增一条SiC产线，主要生产SiC功率芯片产品。项目新增SiC产能规模为MOSFET芯片28.8万片/年、SBD芯片28.8万片/年，同时减少GaN外延的蓝绿光LED芯片57.6万片/年（其外延产能不变，多余外延片外售）、总共为芯片产能672万片（等效2英寸）。

　　随着设备的调试完成，预计到2025年2月底，生产线将通线并开始投片生产，并将在三季度末实现大规模的批量生产。

　　TrendForce集邦咨询认为，碳化硅从6英寸升级到8英寸，衬底的加工成本有所增加，但可以提升芯片产量，8英寸能够生产的芯片数量约为6英寸碳化硅晶圆的1.8倍，向8英寸转型，是降低碳化硅器件成本的可行之法。同时，8英寸衬底厚度增加有助于在加工时保持几何形状，减少边缘翘曲度，降低缺陷密度，从而提升良率，采用8英寸衬底能够大幅降低单位综合成本。

　　从2023年至今，在衬底和外延端，我国已有宁波合盛新材、天岳先进、科友半导体、世纪金芯、青禾晶元、天域半导体、希科半导体、瀚天天成、南京百识电子等企业先后披露了8英寸碳化硅材料的最新突破。

　　我国碳化硅产业近年来发展迅速，市场规模不断扩大，其中在上游碳化硅衬底和外延制备技术方面取得了显着进展，不断缩小与国际先进水平的差距，而在中游器件和模块制造环节与国际大厂还存在较大差距。目前我国有披露相关投产动态的8英寸碳化硅器件产线主要是士兰微、芯联集成、湖南三安、方正微四条产线英寸碳化硅器件产线上述已说明，其他三条产线投产时间和产能情况如下。

　　1、芯联集成的8英寸碳化硅器件研发产线年通线英寸碳化硅工程批已顺利下线英寸碳化硅产线亿元，全面建成后将形成6/8英寸碳化硅晶圆6万片/年的生产规模。

　　目前芯联集成计划加快推动国内首条8英寸SiC MOSFET生产线年内提早实现量产，成为国内首家实现规模量产的8英寸SiC MOSFET企业。

　　7月24日，湖南三安半导体举行芯片二厂M6B设备入场仪式。据悉，湖南三安SiC项目总投资高达160亿人民币，旨在打造6英寸/8英寸兼容SiC全产业链垂直整合量产平台。项目达产后，将具备年产36万片6英寸SiC晶圆、48万片8英寸SiC晶圆的制造能力。

　　此前官方表示，预计到2024年12月，M6B将实现点亮通线英寸SiC芯片将正式投产，湖南三安半导体正式转型为8英寸SiC垂直整合制造商。

　　据方正微电子副总裁/产品总经理彭建华介绍，方正微电子作为第三代半导体领域的IDM企业，当前有两个fab。其中，Fab1当前已实现SiC产能9000片/月（6英寸），预计2024年底产能将达到1.4万片/月，2025年将具备16.8万片/年车规SiC MOS生产能力，GaN当前产能4000片/月；Fab2的8英寸SiC生产线年底通线年，深圳市重大产业投资集团有限公司（下文简称“深重投”）成功入主方正微电子，将公司纳入深圳集成电路产业“比学赶超”发展战略的重要产业链环节，导入全球尖端科技资源，助力战略性新兴产业发展，致力于将方正微电子打造为国家第三代半导体制造高地。